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工藝流程晶體的生長(zhǎng)晶體切片成wafer晶圓制作功能設(shè)計(jì)摸塊設(shè)計(jì)鈍路設(shè)計(jì)版圖設(shè)計(jì)制作光罩工藝流程1)表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的A1203和甘油混合液保護(hù)之，在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2)初次氧化有熱氧化法生成Si02緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)干法氧化Si(固)+02？Si02(固)濕法氧化Si(固)+2H20?Si02(固)+2H2干法氧化通常用來形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)Si02膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。S02膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚的SO2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)間。Si02膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過Si02膜到達(dá)硅表面的O2及OH基等氧化劑的數(shù)量的多少。濕法氧化時(shí)，因在于OH基在Si02膜中的擴(kuò)散系數(shù)比02的大。氧化反應(yīng)，Si表面向深層移動(dòng)，距離為Si02膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的Si02膜，去除后的Si表面的深度也不同。Si02膜為透明，通過光干涉來估計(jì)膜的厚度。這種干涉色的周期約為200m，如果預(yù)告知道是幾次干涉，就能正確估計(jì)。對(duì)其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計(jì)算出(dSi02)/(dox)=(nox)/(nSi02)。Si02膜很薄時(shí)，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和Si02的親水性來判斷Si02膜是否存在。也可用干涉膜計(jì)或橢圓儀等測(cè)出。Si02和Si界面能級(jí)密度和固定電荷密度可由MOS二極管的電容特性求得。(100)面的Si的界面能級(jí)密度最低，約為10E+10-10E+11/cm?2.eV-1數(shù)量級(jí)。(100)面時(shí)，氧化膜中固定電荷較多，固定電荷密度的大小成為左右閾值的主要因素。3)CVD(Chemical Vapor deposition)法沉積一層Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。1常壓CVD(Normal Pressure CVD)NPCVD為最簡(jiǎn)單的CVD法，使用于各種領(lǐng)域中。其一般裝置是由(1)輸送反應(yīng)氣體至反應(yīng)爐的載氣體精密裝置：(2)使反應(yīng)氣體原料氣化的反應(yīng)氣體氣化室：(3)反應(yīng)爐：(4)反應(yīng)后的氣體回收裝置等所構(gòu)成。其中中心部分為反應(yīng)爐，爐的形式可分為四個(gè)種類，這些裝置中重點(diǎn)為如何將反應(yīng)氣體均勻送入，故需在反應(yīng)氣體的流動(dòng)與基板位置上用心改進(jìn)。當(dāng)為水平時(shí)，則基板傾斜：當(dāng)為縱型時(shí)，著反應(yīng)氣體由中心吹出，且使基板夾具回轉(zhuǎn)。而汽缸型亦可同時(shí)收容多數(shù)基板且使夾具旋轉(zhuǎn)。為擴(kuò)散爐型時(shí)，在基板的上游加有混和氣體使成亂流的裝置。2低壓CVD(Low Pressure CVD)此方法是以常壓CD為基本，欲改善膜厚與相對(duì)阻抗值及生產(chǎn)所創(chuàng)出的方法。主要特征：(1)由于反應(yīng)室內(nèi)壓力減少至10-1000Pa而反應(yīng)氣體，載氣體的平均自由行程及擴(kuò)散常數(shù)變大，因此，基板上的膜厚及相對(duì)阻抗分布可大為改善。反應(yīng)氣體的消耗亦可減少：(2)反應(yīng)室成擴(kuò)散爐型，溫度控制最為簡(jiǎn)便，且裝置亦被簡(jiǎn)化，結(jié)果可大幅度改善其可靠性